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肖特基二极管资讯:三星扩产会终止DRAM涨势?


  全球内存龙头三星电子传出将进行DRAM扩产计划,受心理层面影响,恐让下半年DRAM涨势止歇。不过业界认为,由于建厂时间还要两年,难解今年缺货窘境。加上三星新厂用途未定,不确定要生产DRAM或是系统半导体,所以当前任何试图影响供应链的言论都不足以采信。


  新产线用来生产什么芯片?是个秘密


  韩媒BusinessKorea表示,三星决定斥资10兆韩元(约87亿美元),扩充南韩华城厂DRAM产能。三星表示,新产线约需两年时间建造,将视研发进度和工艺转换良率,生产18nm或更先进工艺的DRAM。


  然而韩国先驱报说法不同,先驱报称,半导体界透露,三星正在评估年度投资计划,有意在韩国华城(Hwaseong)的17号厂内部增加产线,并在17号厂旁边另盖新工厂。外界对于新产能用途看法不一,有人认为三星会增产DRAM、也有人说要生产系统半导体


  半导体市场变化快速,新厂生产商品常到落成时才拍板定案。以三星华城厂17号线为例,此一产线原本设计为制造系统半导体,但是后来两度扩建,改用于生产DRAM和3D NAND。 三星 2014年宣布兴建韩国平泽厂(Pyeongtaek),生产3DNAND,但是直到今年下半平泽厂才放量生产,距离宣布时间相隔3年。SK海力士2014年宣布增加DRAM产能,对市场供需也影响不大。2015年、2016年上半,PC需求不振,才是DRAM供需失衡的主因。


  不过据韩国当地一家IT出版物ETNews报道,三星最近订购了用于制造10nm系统LSI芯片的新设备。报道说,新设备预计最早将从下个月开始安装,到6月完成。三星发言人也表示,目前为时过早,无法确认投资计划和新产线用途,详细内容敲定后,会在本月底或4月初宣布。有人猜测,17厂内部的新增产线可能用于生产10纳米系统芯片、新工厂则生产7纳米系统芯片。


  今年的DRAM市场不容动摇


  三星扩产对象还不明朗,就算三星真的扩产DRAM,Susquehanna Financial Group的 Mehdi Hosseini信心喊话,指出光是扩产宣言不至于动摇市场,需求才是观察重点。


  对于今年DRAM供需,稍早包括南亚科总经理李培瑛、创见董事长束崇万,及威刚董事长长陈立白都表示,今年DRAM因主要供应大厂将产能挪移生产储存型闪存(NAND Flash),且只做DRAM工艺升级,未见扩大资本支出增产,加上DRAM市场除个人计算机外,在各类智能设备,如车用、电视、家庭自动化、网络、服务器以及移动装置等普遍使用,让供给缺口浮现。


       三星电子发言人说,三星DRAM的毛利率超过 45%,尽管三星产品售价高,但是由于质量出众,优于竞争对手,在市场供不应求。 三星是内存霸主,去年在全球DRAM市占高达48%,集邦统计,首季除利基型DRAM涨幅在10~15%外,其余包括标准型DRAM、服务器DRAM、移动DRAM等,涨幅都在20~35%不等,并在淡季写下单季历史最大涨幅。预估第2季DRAM合约价仍会续涨,涨幅虽收敛,但也会逾一成。三星决定增产DRAM,内存模块业界表示,这一波DRAM上涨是由三星领军,使价格回到合理的利润,预料不至于杀价抢市场份额。
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